Дата:16/07/16
Компании IBM и Samsung объявили о создании технологического процесса производства энергонезависимой памяти, которая работает в 100 тыс. раз быстрее флеш-памяти NAND и имеет практически неограниченный ресурс циклов чтения и записи.
IBM и Samsung совместными усилиями разрабатывают магниторезистивную (MRAM) память следующего поколения с использованием технологии STT (spin-transfer torque), что позволит создавать более эффективные микросхемы памяти небольшой емкости для датчиков Интернета вещей, носимых устройств и мобильной техники, где в настоящее время для хранения данных используется флеш-память NAND.
Двум компаниям впервые удалось уменьшить норму проектирования до 11 нанометров при длительности импульса в 10 наносекунд и силе тока, не превышающей 7,5 микроампер, что, по свидетельству разработчиков, является «значительным достижением».
Если флеш-памяти NAND для записи данных требуется одна миллисекунда, то у MRAM эта процедура занимает всего 10 наносекунд. Таким образом, память MRAM в 100 тыс. раз превосходит NAND по скорости записи и в 10 раз по скорости чтения.
В обозримом будущем память STT MRAM вряд ли придет на смену микросхемам DRAM, сообщает Computerworld.
Создан технологический процесс производства энергонезависимой памяти
Компании IBM и Samsung объявили о создании технологического процесса производства энергонезависимой памяти, которая работает в 100 тыс. раз быстрее флеш-памяти NAND и имеет практически неограниченный ресурс циклов чтения и записи.IBM и Samsung совместными усилиями разрабатывают магниторезистивную (MRAM) память следующего поколения с использованием технологии STT (spin-transfer torque), что позволит создавать более эффективные микросхемы памяти небольшой емкости для датчиков Интернета вещей, носимых устройств и мобильной техники, где в настоящее время для хранения данных используется флеш-память NAND.
Двум компаниям впервые удалось уменьшить норму проектирования до 11 нанометров при длительности импульса в 10 наносекунд и силе тока, не превышающей 7,5 микроампер, что, по свидетельству разработчиков, является «значительным достижением».
Если флеш-памяти NAND для записи данных требуется одна миллисекунда, то у MRAM эта процедура занимает всего 10 наносекунд. Таким образом, память MRAM в 100 тыс. раз превосходит NAND по скорости записи и в 10 раз по скорости чтения.
В обозримом будущем память STT MRAM вряд ли придет на смену микросхемам DRAM, сообщает Computerworld.
Просмотры: 768
При использовании ссылка на ictnews.az обязательна
Похожие новости
- Samsung представляет быструю 20 нм флэш-память
- В Азербайджане планируется создание испытательной лаборатории для сотовых телефонов
- Вся территория республики перейдет на цифровое вещание
- Apple Mac OS X 10.7 Lion
- OCZ показала гибридный накопитель
- Apple готовится к выпуску новых версий ноутбуков MacBook Air
- AMD представила процессоры нового поколения
- В Индии выпустили планшет за $50
- Intel готовит новые твердотельные диски корпоративного класса
- В Японии появился гигантский OLED-глобус (ВИДЕО)
- Apple может выпустить iPad третьего поколения до конца года
- Google, представит новый смартфон Nexus осенью
- Новая технология позволяет передавать данные по беспроводной связи без батареи
- В этом году будет выпущено 80 млн. устройств с поддержкой USB 3.0
- A-Data S511: быстрые твердотельные диски вместимостью до 480 Гб
