Дата:06/10/20

Представлена первая в мире оперативная память DDR5

Компания SK hynix представила первую в мире оперативную память следующего поколения — DDR5 DRAM, или Double-Data-Rate Five Dynamic Random Access Memory.

 

Анонсированные изделия оптимизированы для приложений искусственного интеллекта, машинного обучения и больших данных. По сравнению с памятью предыдущего поколения — DDR4 — улучшены все ключевые характеристики.

 

Новая память SK hynix обеспечивает скорость передачи данных в 4800–5600 Мбит/с на контакт, что в 1,8 раза превышает базовые показатели памяти DDR4. При этом напряжение питания уменьшено с 1,2 до 1,1 В, что повышает энергетическую эффективность.

 

Реализована поддержка коррекции ошибок ECC — Error Correcting Code. Утверждается, что по сравнению с памятью предыдущего поколения надёжность работы приложений возрастёт в 20 раз.

 

Наконец, говорится, что ёмкость модулей оперативной памяти SK hynix DDR5 DRAM может достигать 256 Гбайт при использовании технологии производства Through-Silicon-Via (TSV).

 

Поначалу DDR5 DRAM будет проникать в серверный сегмент. SK hynix отмечает, что память нового поколения позволит существенно сократить энергопотребление и стоимость владения дата-центров при одновременном увеличении надёжности и производительности, сообщает 3DNews.

Просмотры: 142

При использовании ссылка на ictnews.az обязательна