Yüksəksürətli enerjidən asılı olmayan yaddaş mikroçiplərinin ilk nümunəsi hazırlanıb
Yaponiyanın “Elpida” şirkəti təsadüfi müraciətlə yüksəksürətli enerjidən asılı olmayan rezistiv yaddaşın ilk nümunələrinin yaradılması haqqında bildirib.
“ReRAM” (və ya RRAM) yaddaşı “DRAM” və “NAND” fləş yaddaşın üstünlüklərini birləşdirir. “ReRAM” mikrosxemləri “DRAM” kimi təqribən eyni sürəti təmin edəcək.
Bununla belə yeni yaddaş formatı enerjidən asılı olmayacaq. “NAND” fləş yaddaşı ilə müqayisədə yeni tip yaddaş aşağı enerji sərfiyyatı ilə səciyyələnir və daha çox yenidən yazma dövrlərinə malikdir.
“Elpida” şirkəti tərəfindən təqdim edilmiş “ReRAM” mikroçip nümunələri 50 nanometr texnoloji proses üzrə hazırlanıb. Onların tutumu 64 meqabit təşkil edir. “Elpida” şirkəti “ReRAM” mikrosxemlərini 2013-cü ildə 30 nanometr texnoloji proses üzrə istehsal etməyi nəzərdə tutur.
Yeni tip yaddaşdan fərdi kompyuter, cib media pleyerləri, videokamera və digər cihazlarda istifadə etmək planlaşdırılır.
NRYTN
TEXNOLOJİ YENİLİKLƏR
POÇT
XƏBƏRLƏR
HAQQIMIZDA
İKT
ŞAD KODLARI
TANINMIŞLAR
MÜSAHİBƏLƏR
MARAQLI
TƏHLİL
